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A2G35S160-01SR3
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A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Tensão - avaliado:
125 V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
NI-400S-2S
Tensão - teste:
48 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequência:
3.4 GHz ~ 3.6 GHz
Ganho:
150,7 dB
Embalagem / Caixa:
NI-400S-2S
Atual - teste:
190 miliampères
Saídas de potência:
51dBm
Tecnologia:
ldmos
Avaliação atual (ampères):
-
Número do produto de base:
A2G35
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
Transistores AIRFAST RF GAN de potência
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
RF Mosfet 48 V 190 mA 3,4 GHz ~ 3,6 GHz 15,7 dB 51 dBm NI-400S-2S

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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