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FF800R17KP4B2NOSA2
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FF800R17KP4B2NOSA2

FF800R17KP4B2NOSA2

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
A 1200
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
IHM-A
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
-
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1700 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A-IHV130-3
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
5 miliampères
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
W 1200
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
65 nF @ 25 V
Configuração:
2 independente
Termistor de NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FF800R17
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
Módulo IGBT 1700V 800A
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira 2 Independente 1700 V 1200 A 1200 W Montador do chassi A-IHV130-3

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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