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FP50R12N2T7B11BPSA1
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FP50R12N2T7B11BPSA1

FP50R12N2T7B11BPSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
50 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EconoPIM™ 2
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
1.5V @ 15V, 50A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
AG-ECONO2B
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
µA 10
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
20 mW
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
N-F 11,1 @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FP50R12
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
A redução da potência ECONO AG-ECONO2B-711
Descrição do produto
Modulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 50 A 20 mW Montador de chassi AG-ECONO2B

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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