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FP100R12KT4B11BOSA1
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FP100R12KT4B11BOSA1

FP100R12KT4B11BOSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
100 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EconoPIMTM 3
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.1V @ 15V, 100A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
515 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
6.3 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FP100R12
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IGBT MOD 1200V 100A 515W
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 100 A 515 W Módulo montado no chassi

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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