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FF1200R17KP4B2NOSA2
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FF1200R17KP4B2NOSA2

FF1200R17KP4B2NOSA2

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
1700 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
IHM-B
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
-
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1700 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
AG-PRIME2
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
5 miliampères
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
W 1400
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
98 nF @ 25 V
Configuração:
2 independente
Termistor de NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FF1200
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
Módulo IGBT 1700V 1200A
Descrição do produto
Modulo IGBT Paragem de campo de trincheira 2 Independente 1700 V 1700 A 1400 W Montador de chassi AG-PRIME2

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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