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APT75GT120JU3
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APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
100 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
ISOTOP
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.1V @ 15V, 75A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-227
Mfr:
Tecnologia de microchip
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
5 miliampères
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
416 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
5.34 nF @ 25 V
Configuração:
Solteiro
Termistor de NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
APT75GT120
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Single 1200 V 100 A 416 W Montador de chassi SOT-227

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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