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DF120R12W2H3B27BOMA1
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DF120R12W2H3B27BOMA1

DF120R12W2H3B27BOMA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
50 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.4V @ 15V, 40A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo de IGBT:
-
Poder - máximo:
180 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
2.35 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
DF120R12
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IGBT MOD 1200V 50A 180W
Descrição do produto
Módulo IGBT Inverter de três fases 1200 V 50 A 180 W Módulo montado no chassi

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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