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  • FP75R12KT4PBPSA1

FP75R12KT4PBPSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
150 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EconoPIMTM 3
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.15V @ 15V, 75A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
20 mW
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
4.3 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FP75R12
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IGBT MOD 1200V 150A 20MW
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 150 A 20 mW Módulo montado no chassi

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