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  • APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
75 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SP3
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.1V @ 15V, 50A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SP3
Mfr:
Tecnologia de microchip
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
µA 250
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
270 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
3.6 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor completo da ponte
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
APTGT50
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
Módulo IGBT 1200V 75A 270W SP3
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Full Bridge Inverter 1200 V 75 A 270 W Chassis Mount SP3

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