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  • VS-GT80DA120U

VS-GT80DA120U

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
139 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Em granel
Série:
HEXFRED®
Embalagem / Caixa:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.55V @ 15V, 80A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-227
Mfr:
General semicondutor de Vishay - divisão dos diodos
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
100 µA
Tipo de IGBT:
Trincheira
Poder - máximo:
658 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
4.4 nF @ 25 V
Configuração:
Solteiro
Termistor de NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
GT80
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Descrição do produto
Módulo IGBT Trench Single 1200 V 139 A 658 W Chassis Mount SOT-227

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