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FF1200R17KE3NOSA1
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FF1200R17KE3NOSA1

FF1200R17KE3NOSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - interrupção do coletor (máxima):
5 miliampères
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.45V @ 15V, 1200A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1700 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C
Poder - máximo:
595000 W
Tipo de IGBT:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
110 nF @ 25 V
Configuração:
Helicóptero único
Termistor de NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FF1200
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
Módulo IGBT VCES 1700V 1200A
Descrição do produto
Módulo IGBT Single Chopper 1700 V 595000 W Módulo montado no chassi

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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