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DF200R12W1H3B27BOMA1
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DF200R12W1H3B27BOMA1

DF200R12W1H3B27BOMA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
30 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
1.3V @ 15V, 30A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo de IGBT:
-
Poder - máximo:
375 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
2 nF @ 25 V
Configuração:
2 independente
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
DF200R12
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IGBT MOD 1200V 30A 375W
Descrição do produto
Módulo IGBT 2 Módulo independente montado no chassi de 1200 V 30 A 375 W

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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