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FP10R12W1T7B3BOMA1
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FP10R12W1T7B3BOMA1

FP10R12W1T7B3BOMA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
10 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EasyPIMTM
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
1.6V @ 15V, 10A (tipo)
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
AG-EASY1B-2
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
µA 4,5
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
20 mW
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
1.89 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FP10R12
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
Módulo IGBT de baixa potência
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 10 A 20 mW Montador de chassi AG-EASY1B-2

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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