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FF200R12KS4HOSA1
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FF200R12KS4HOSA1

FF200R12KS4HOSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
275 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
c
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
3.7V @ 15V, 200A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
5 miliampères
Tipo de IGBT:
-
Poder - máximo:
W 1400
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
13 nF @ 25 V
Configuração:
2 independente
Termistor de NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FF200R12
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IGBT MOD 1200V 275A 1400W
Descrição do produto
Módulo IGBT 2 Módulo independente de montagem de chassi de 1200 V 275 A 1400 W

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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