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FS50R12W2T4B11BOMA1
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FS50R12W2T4B11BOMA1

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Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
83 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EasyPACK™
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.15V @ 15V, 50A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
335 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
2.8 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FS50R12
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IGBT MOD 1200V 83A 335W
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 83 A 335 W Módulo montado no chassi

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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