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NHDTA114ETVL
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NHDTA114ETVL

NHDTA114ETVL

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares únicos, pré-b
Atual - coletor (CI) (máximo):
100 miliampères
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo do transistor:
PNP - Preconceito
Frequência - transição:
150 megahertz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automotivo, AEC-Q101
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
100 mV @ 500 μA, 10 mA
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
80 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-236AB
Resistor - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Nexperia EUA Inc.
Resistor - base do emissor (R2):
10 kOhms
Atual - interrupção do coletor (máxima):
100nA
Poder - máximo:
250 mW
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Número do produto de base:
NHDTA114
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
NHDTA114ET/SOT23/TO-236AB
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Transistor bipolar pré-biasado (BJT) PNP - Pré-biasado 80 V 100 mA 150 MHz 250 mW Monte de superfície TO-236AB

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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