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PDTD143ET-QR
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Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares únicos, pré-b
Atual - coletor (CI) (máximo):
500 miliampères
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo do transistor:
NPN - Pre-inclinado
Frequência - transição:
225 megahertz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Automotivo, AEC-Q101
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
100 mV @ 2,5 mA, 50 mA
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-236AB
Resistor - base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Nexperia EUA Inc.
Resistor - base do emissor (R2):
4,7 kOhms
Atual - interrupção do coletor (máxima):
500nA
Poder - máximo:
320 mW
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
60 @ 50mA, 5V
Número do produto de base:
PDTD143
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
PDTD143ET-Q/SOT23/TO-236AB
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Transistor bipolar pré-biasado (BJT) NPN - pré-biasado 50 V 500 mA 225 MHz 320 mW Monte de superfície TO-236AB

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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