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  • PDTC143EQBZ

PDTC143EQBZ

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares únicos, pré-b
Atual - coletor (CI) (máximo):
100 miliampères
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo do transistor:
NPN - Pre-inclinado
Frequência - transição:
180 megahertz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície, flanco Wettable
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
100 mV @ 500 μA, 10 mA
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DFN1110D-3
Resistor - base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
Nexperia EUA Inc.
Resistor - base do emissor (R2):
4,7 kOhms
Atual - interrupção do coletor (máxima):
100nA
Poder - máximo:
340 mW
Embalagem / Caixa:
3-XDFN Pad Exposto
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
30 @ 10mA, 5V
Número do produto de base:
PDTC143
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
PDTC143EQB/SOT8015/DFN1110D-3
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Transistor Bipolar Pre-Biased (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 340 mW Monte de superfície, Flanco úmido DFN1110D-3

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