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FJN3308RBU
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Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares únicos, pré-b
Atual - coletor (CI) (máximo):
100 miliampères
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo do transistor:
NPN - Pre-inclinado
Frequência - transição:
250 MHz
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
300mV @ 500µA, 10mA
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Resistor - base (R1):
47 kOhms
Mfr:
semi-
Resistor - base do emissor (R2):
22 kOhms
Atual - interrupção do coletor (máxima):
100nA (ICBO)
Poder - máximo:
300 mW
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
56 @ 5mA, 5V
Número do produto de base:
FJN330
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
TRANS PREBIAS NPN 300 MW TO92-3
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) NPN - pré-biasados 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW através do buraco TO-92-3

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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