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PDTA123EMB,315
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PDTA123EMB,315

PDTA123EMB,315

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares únicos, pré-b
Atual - coletor (CI) (máximo):
100 miliampères
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo do transistor:
PNP - Preconceito
Frequência - transição:
180 megahertz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Automóveis, AEC-Q100
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
150 mV @ 500 μA, 10 mA
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DFN1006B-3
Resistor - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia EUA Inc.
Resistor - base do emissor (R2):
2,2 kOhms
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1µA
Poder - máximo:
250 mW
Embalagem / Caixa:
3-XFDFN
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
30 @ 20mA, 5V
Número do produto de base:
PDTA123
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) PNP - pré-biasados 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Monte de superfície DFN1006B-3

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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