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  • DDTB113EC-7-F

DDTB113EC-7-F

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares únicos, pré-b
Atual - coletor (CI) (máximo):
500 miliampères
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo do transistor:
PNP - Preconceito
Frequência - transição:
200 MHz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23-3
Resistor - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
Diodos incorporados
Resistor - base do emissor (R2):
kOhms 1
Atual - interrupção do coletor (máxima):
500nA
Poder - máximo:
200 mW
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
33 @ 50mA, 5V
Número do produto de base:
DDTB113
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) PNP - pré-biasados 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Montador de superfície SOT-23-3

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