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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • NPT1007B

NPT1007B

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - avaliado:
100 V
Pacote:
Em granel
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Tensão - teste:
28 V
Mfr:
Soluções da tecnologia de MACOM
Frequência:
900MHz
Ganho:
180,3 dB
Embalagem / Caixa:
-
Atual - teste:
1,4 A
Saídas de potência:
53dBm
Tecnologia:
HEMT
Avaliação atual (ampères):
20.5A
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
RF Mosfet 28 V 1.4 A 900MHz 18,3 dB 53 dBm

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