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IGN1214L500B
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IGN1214L500B

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Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Atividade
Tensão - avaliado:
160 V
Pacote:
Caixa
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PL95A1
Tensão - teste:
50 V
Mfr:
Integra Technologies Inc.
Frequência:
1.2 GHz ~ 1.4 GHz
Ganho:
15dB
Embalagem / Caixa:
PL95A1
Atual - teste:
200 miliampères
Saídas de potência:
650W
Tecnologia:
HEMT
Avaliação atual (ampères):
-
Número do produto de base:
IGN1214
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
GAN, TRANSISTOR DE PODER de RF, L-BAND
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
RF Mosfet 50 V 200 mA 1,2 GHz ~ 1,4 GHz 15dB 650W PL95A1

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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