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MMRF1013HR5
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MMRF1013HR5

MMRF1013HR5

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Tensão - avaliado:
65 V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Configuração:
Duplo
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
NI-1230-4H
Tensão - teste:
30 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequência:
2.9GHZ
Ganho:
130,3 dB
Embalagem / Caixa:
SOT-979A
Atual - teste:
100 miliampères
Saídas de potência:
320W
Tecnologia:
ldmos
Avaliação atual (ampères):
-
Número do produto de base:
MMRF1013
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
FET RF 2CH 65V 2,9 GHz
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
RF Mosfet 30 V 100 mA 2,9 GHz 13,3 dB 320 W NI-1230-4H

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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