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A3G26D055N-100
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A3G26D055N-100

A3G26D055N-100

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Tensão - avaliado:
125 V
Pacote:
Em granel
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
6-PDFN (7x6.5)
Tensão - teste:
48 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequência:
100 MHz ~ 2,69 GHz
Ganho:
130,9 dB
Embalagem / Caixa:
Pad 6-LDFN exposto
Atual - teste:
40 miliampères
Saídas de potência:
8w
Tecnologia:
GaN
Avaliação atual (ampères):
-
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
CIRCUITO REF RF 25W 100-2800MHZ
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
RF Mosfet 48 V 40 mA 100 MHz ~ 2,69 GHz 13,9 dB 8 W 6-PDFN (7x6,5)

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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