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NE3511S02-A
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NE3511S02-A

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Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tensão - avaliado:
4 V
Pacote:
Em granel
Série:
-
Figura de ruído:
0.3dB
Pacote de dispositivos do fornecedor:
S02
Tensão - teste:
2 V
Mfr:
CEL
Frequência:
12GHz
Ganho:
13.5dB
Embalagem / Caixa:
4-SMD, de condução plana
Atual - teste:
10 miliampères
Saídas de potência:
-
Tecnologia:
GaAs HJ-FET
Avaliação atual (ampères):
70mA
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
HJ-FET NCH 13.5DB S02
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 13,5 dB S02

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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