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  • BG3123E6327HTSA1

BG3123E6327HTSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Tensão - avaliado:
8 V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Configuração:
N-canal 2 (duplo)
Série:
-
Figura de ruído:
10,8 dB
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-SOT363-PO
Tensão - teste:
5 V
Mfr:
Tecnologias Infineon
Frequência:
800MHz
Ganho:
25dB
Embalagem / Caixa:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Atual - teste:
14 miliampères
Saídas de potência:
-
Tecnologia:
MOSFET
Avaliação atual (ampères):
25 mA, 20 mA
Número do produto de base:
BG3123
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
RF Mosfet 5 V 14 mA 800 MHz 25dB PG-SOT363-PO

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