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FZ900R12KP4HOSA1
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FZ900R12KP4HOSA1

FZ900R12KP4HOSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
900 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
c
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.05V @ 15V, 900A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
5 miliampères
Tipo de IGBT:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
56 nF @ 25 V
Configuração:
Solteiro
Termistor de NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FZ900R12
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
Módulo IGBT 1200V 900A
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Modulo IGBT Modulo montado no chassi de 1200 V a 900 A

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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