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FP100R07N3E4BOSA1
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FP100R07N3E4BOSA1

FP100R07N3E4BOSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
100 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EconoPIMTM 3
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
1.95V @ 15V, 100A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
650 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
335 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
6.2 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FP100R07
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
IGBT MOD 650V 100A 335W
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 650 V 100 A 335 W Módulo montado no chassi

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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