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FS650R08A4P2BPSA1
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FS650R08A4P2BPSA1

FS650R08A4P2BPSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
375 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
HybridPACKTM DC6
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
1.35V @ 15V, 375A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
750 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
AG-HYBDC6I-1
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
20 mW
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
65 nF @ 50 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FS650R08
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
Pacote híbrido 1
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 750 V 375 A 20 mW Monte do chassi AG-HYBDC6I-1

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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