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F475R12KS4BOSA1
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F475R12KS4BOSA1

F475R12KS4BOSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
100 A
Estatuto do produto:
Descontinuado na Digi-Key
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
3.75V @ 15V, 75A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
5 miliampères
Tipo de IGBT:
-
Poder - máximo:
500 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
5.1 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
F475R12
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
IGBT MOD 1200V 100A 500W
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Módulo IGBT Inverter de três fases 1200 V 100 A 500 W Módulo montado no chassi

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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