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VS-GT75YF120UT
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VS-GT75YF120UT

VS-GT75YF120UT

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
118 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.6V @ 15V, 75A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
General semicondutor de Vishay - divisão dos diodos
Atual - interrupção do coletor (máxima):
100 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
431 W
Input:
Padrão
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Configuração:
Ponte completa
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
ECONO - 4 PACK IGBT
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Full Bridge 1200 V 118 A 431 W Montador de chassi

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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