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FF200R12KE3HOSA1
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FF200R12KE3HOSA1

FF200R12KE3HOSA1

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - interrupção do coletor (máxima):
5 miliampères
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.15V @ 15V, 200A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Módulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C
Poder - máximo:
1050 W
Tipo de IGBT:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Configuração:
2 independente
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FF200R12
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
Módulo IGBT 1200V 1050W
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Módulo IGBT 2 Módulo independente montado no chassi de 1200 V a 1050 W

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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