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MIP50R12E1ATN-BP
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MIP50R12E1ATN-BP

MIP50R12E1ATN-BP

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
50 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.3V @ 15V, 50A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E1A
Mfr:
Micro Co comercial
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo de IGBT:
-
Poder - máximo:
288 W
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
2.6 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor de NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
MIP50
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
Módulos IGBT 1200V 50A, E1A
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Módulo IGBT Inverter de três fases 1200 V 50 A 288 W Montador do chassi E1A

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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