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NXH100B120H3Q0STG
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NXH100B120H3Q0STG

NXH100B120H3Q0STG

Detalhes do produto
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
50 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem do Chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.3V @ 15V, 50A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
22 PIM/Q0BOOST (55x32,5)
Mfr:
semi-
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
200 µA
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Poder - máximo:
186 W
Input:
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
9.075 nF @ 20 V
Configuração:
2 independente
Termistor de NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
NXH100
Termos do pagamento & do transporte
Resíduos
Em estoque
Método de transporte
LCL, AIR, FCL, Express
Descrição
Módulo IGBT 1200V 50A 186W PIM22
Termos de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrição do produto
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira 2 Independente 1200 V 50 A 186 W Chassis Mount 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)

Etiquetas:

Microplaqueta de IC do transistor,

Microplaqueta encaixada,

Microplaqueta encaixada SMD

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