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CY7C1012DV33-10BGXI
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CY7C1012DV33-10BGXI

CY7C1012DV33-10BGXI

Detalhes do produto
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
10ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
119-PBGA (14x22)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Cypress Semicondutor Corp
Tamanho da Memória:
12Mbit
Voltagem - Fornecimento:
3 V ~ 3,6 V
Tempo de acesso:
10 ns
Embalagem / Caixa:
119-BGA
Organização da memória:
512K x 24
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrono
Número do produto de base:
CY7C1012
Formato de memória:
SRAM
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IC SRAM 12MBIT PARALLEL 119PBGA
Descrição do produto
SRAM - Memória assíncrona IC 12Mbit paralelo 10 ns 119-PBGA (14x22)

Etiquetas:

microplaqueta da memória Flash CI,

Microplaqueta do circuito integrado,

Chip de memória

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