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RMWV6416AGSA-5S2#AA0
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RMWV6416AGSA-5S2#AA0

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Detalhes do produto
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
-
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
55ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
48-TSOP I
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Tamanho da Memória:
64Mbit
Voltagem - Fornecimento:
2.7V ~ 3.6V
Embalagem / Caixa:
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura)
Organização da memória:
4M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrono
Tempo de acesso:
55 ns
Formato de memória:
SRAM
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
RMWV6416AGS - LPSR avançado de 64 Mb
Descrição do produto
SRAM - Memória assíncrona IC 64Mbit paralelo 55 ns 48-TSOP I

Etiquetas:

microplaqueta da memória Flash CI,

Microplaqueta do circuito integrado,

Chip de memória

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