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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • P2114A5

P2114A5

Detalhes do produto
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
250ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
18-DIP
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Informações
Tamanho da Memória:
4Kbit
Voltagem - Fornecimento:
4.5V ~ 5.5V
Embalagem / Caixa:
18-DIP
Organização da memória:
1K x 4
Temperatura de funcionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrono
Tempo de acesso:
250 ns
Formato de memória:
SRAM
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18DIP
Descrição do produto
SRAM - IC de memória assíncrona 4Kbit paralelo 250 ns 18-DIP

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