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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • 6116LA120DB

6116LA120DB

Detalhes do produto
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
120ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
24-CDIP
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Tamanho da Memória:
16 Kbit
Voltagem - Fornecimento:
4.5V ~ 5.5V
Tempo de acesso:
120 ns
Embalagem / Caixa:
24-CDIP (0,600", 15,24 mm)
Organização da memória:
2K x 8
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 125°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrono
Número do produto de base:
6116LA
Formato de memória:
SRAM
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IC SRAM 16KBIT PARALHEL 24CDIP
Descrição do produto
SRAM - IC de memória assíncrona 16Kbit paralelo 120 ns 24-CDIP

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