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R1WV6416RBG-5SI#B0
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R1WV6416RBG-5SI#B0

Detalhes do produto
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
-
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
55ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
48-TFBGA (8,5x11)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
RENESAS
Tamanho da Memória:
64Mbit
Voltagem - Fornecimento:
2.7V ~ 3.6V
Embalagem / Caixa:
48-TFBGA
Organização da memória:
4M x 16, 8M x 8
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrono
Tempo de acesso:
55 ns
Formato de memória:
SRAM
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
R1WV6416RBG-5SI - SRAM de baixa potência
Descrição do produto
SRAM - Memória assíncrona IC 64Mbit paralelo 55 ns 48-TFBGA (8,5x11)

Etiquetas:

microplaqueta da memória Flash CI,

Microplaqueta do circuito integrado,

Chip de memória

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