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As emissões de CO2 provenientes de países terceiros devem ser calculadas em conformidade com os requisitos do presente regulamento.
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Detalhes do produto
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
512Mbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
Automóveis, AEC-Q100
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
66-TSOP II
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Alliance Memória, Inc.
Frequência do relógio:
200 MHz
Voltagem - Fornecimento:
2.3V ~ 2.7V
Tempo de acesso:
700 picosegundos
Embalagem / Caixa:
66-TSSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
32M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 105°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR
Número do produto de base:
AS4C32
Formato de memória:
DRAM
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Descrição do produto
SDRAM - Memória DDR IC 512Mbit Paralelo 200 MHz 700 ps 66-TSOP II

Etiquetas:

microplaqueta da memória Flash CI,

Microplaqueta do circuito integrado,

Chip de memória

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