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CY7C1357B-100BZC
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CY7C1357B-100BZC

CY7C1357B-100BZC

Detalhes do produto
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
9Mbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
NoBL™
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Cypress Semicondutor Corp
Frequência do relógio:
100 MHz
Voltagem - Fornecimento:
3.135V ~ 3.6V
Tempo de acesso:
7,5 ns
Embalagem / Caixa:
100-LQFP
Organização da memória:
512K x 18
Temperatura de funcionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Síncrono, SDR
Número do produto de base:
CY7C1357
Formato de memória:
SRAM
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
Descrição do produto
SRAM - Memória IC SDR síncrona 9Mbit paralela a 100 MHz 7,5 ns 100-TQFP (14x20)

Etiquetas:

microplaqueta da memória Flash CI,

Microplaqueta do circuito integrado,

Chip de memória

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