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71V416S12YG
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71V416S12YG

71V416S12YG

Detalhes do produto
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Em granel
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
12ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
44-SOJ
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
IDT, tecnologia integrada Inc do dispositivo
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
3 V ~ 3,6 V
Tempo de acesso:
12 ns
Embalagem / Caixa:
44-BSOJ (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
256K x 16
Temperatura de funcionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrono
Número do produto de base:
71V416S
Formato de memória:
SRAM
Termos do pagamento & do transporte
Descrição
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Descrição do produto
SRAM - Memória assíncrona IC 4Mbit paralelo 12 ns 44-SOJ

Etiquetas:

microplaqueta da memória Flash CI,

Microplaqueta do circuito integrado,

Chip de memória

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