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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Memória assíncrona IC 4Mbit paralelo 12 ns 44-TSOP II
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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Memória assíncrona IC 4Mbit paralelo 12 ns 44-TSOP II

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Memória assíncrona IC 4Mbit paralelo 12 ns 44-TSOP II

Detalhes do produto
Categoria:
Circuitos integrados (IC) MemóriaMemória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
a granel
Série:
R1RW0416DI
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
12ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
44-TSOP II
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
RENESAS
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
3 V ~ 3,6 V
Embalagem / Caixa:
44-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
256K x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrono
Tempo de acesso:
12 ns
Formato de memória:
SRAM
Realçar: 

R1RW0416DSB-2PI#D1

,

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM

Termos do pagamento & do transporte
Descrição
R1RW0416D-I - Ampla temperatura R
Descrição do produto

SRAM - IC de memória assíncrona 4Mbit paralelo 12 ns 44-TSOP II

Etiquetas:

microplaqueta da memória Flash CI,

Microplaqueta do circuito integrado,

Chip de memória

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